大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(走后门是一种怎样的体验知乎，走后门是什么感受chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络(luò)安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存(cún走后门是一种怎样的体验知乎，走后门是什么感受)储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额(é走后门是一种怎样的体验知乎，走后门是什么感受)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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