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　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查(ch宁缺毋滥愿遇良人什么意思，各位看官 皆遇良人什么意思á)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的(de)必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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