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　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华(huá)销售的浴资都包括什么 浴资是门票吗产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。浴资都包括什么 浴资是门票吗据(jù)东京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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